专利摘要显现，本请求供给半导体结构及其构成办法，所述半导体结构包含：半导体衬底，所述半导体衬底外表顺次构成有榜首介质层、第二介质层、贯穿所述榜首介质层的栅极层、间隔所述栅极层的栅极间隔层以及间隔所述栅极间隔层的榜首金属层和延伸至栅极间隔层的第二金属层献身层坐落所述栅极间隔层上方的第二介质层外表第三介质层，坐落所述第二介质层外表和献身层外表；贯穿所述第三介质层延伸至所述献身层中电衔接所述榜首金属层的金属连线结构、贯穿所述第三介质层和第二介质层电衔接所述栅极层的榜首触摸结构、贯穿所述第三介质层电衔接所述第二金属层的第二触摸结构。本请求可以尽可能的避免栅极间隔层损害导致金属连线结构和栅极短路。

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